BSM-Serie kurzwelliges infrarotes modulares Mikroskopsystem Kurzwellige Infrarot-Mikroskopie
Produktübersicht
Das modulare SWIR-Mikroskopsystem der BSM-Serie ist eine neue Generation von Bildgebungsplattformen, die den Bereich vom sichtbaren Spektrum (400–700 nm) auf 900–1700 nm erweitert. Hochempfindliche InGaAs-Sensoren und M Plan Apo NIR-Objektive überwinden die optische Barriere von Silizium und ermöglichen durchdringende, zerstörungsfreie Prüfung. Das modulare Design integriert fortschrittliche Beleuchtungs-, Bildgebungs- und Präzisionsmechanikmodule und liefert mikrometergenaue Subsurface-Defektdetektion für Halbleiterfertigung, Materialwissenschaft und industrielle Inspektion. Standard-Glasoptiken vermeiden kostenintensive Spiegeloptiken und senken die Eintrittshürden sowie die Anwendungskosten für SWIR-Bildgebung deutlich.
Hauptmerkmale
- 900–1700 nm – vollständige Abdeckung des SWIR-Bereichs
- Durchdringende Bildgebung in Silizium – zerstörungsfreie Innensicht
- Drei Tubuslinsensysteme verfügbar (BSM-T180VA/T090VA/T100VA)
- Bildfeld bis 33 mm – kompatibel mit großformatigen Sensoren
- M Plan Apo NIR Profi-Objektivserie (5×–50× HR)
- 0,4 µm herausragende optische Auflösung (50× HR-Objektiv)
- Koaxiales epi-Köhler-Beleuchtungssystem
- LED-Beleuchtung mit integrierten Mehrfachwellenlängen 1200/1300/1400/1550 nm
- Kompatibel mit Hochleistungs-InGaAs-Kameras (0,33 MP–5,0 MP)
- Echtzeitbildgebung mit bis zu 400 fps @ 640×512
- TEC-Kühltechnologie sorgt für rauscharme Bildgebung mit hohem Signal-Rausch-Verhältnis
- Standard-C-Mount-Design – kompatibel mit vielen Kamerasystemen
- Modulare Architektur – unterstützt flexible Anpassung und Upgrades
- Präzise CNC-Fertigung und Vibrationsdämpfung
- Standard-Glasoptik – kostenoptimiert
Systemkonfiguration und Parameter
SWIR-Mikroskopie-Bildgebungstechnologie durchbricht traditionelle optische Grenzen und bietet revolutionäre Lösungen für Halbleiter- und Materialprüfung
Technische Grundlagen des Systems
Die BSM-Serie nutzt die besonderen Eigenschaften des kurzwelligem Infrarots, um Silizium und andere Halbleitermaterialien zu durchdringen. Präzise Optiken und hochempfindliche Sensoren visualisieren Strukturen, die konventionelle Mikroskope nicht erfassen können.
Silizium-Durchdringungsbildgebung
SWIR-Photonen besitzen weniger Energie als die Silizium-Bandlücke (1,1 eV) und dringen in Siliziummaterialien ein – damit werden interne Defekte wie Mikrorisse oder Lötfehler zerstörungsfrei sichtbar.
Kompatibilität mit optischen Systemen
Standard-Glasoptik vermeidet teure MWIR/LWIR-Spiegeloptiken – senkt Kosten und vereinfacht Integration
Modulare Architektur
Beleuchtungs-, Bild- und Mechanikmodule sind separat ausgelegt und lassen sich für spezifische Wellenlängen, Sensoren oder Automatisierung anpassen.
Erhöht den Materialkontrast
SWIR-Wellenlängen verbessern die Sichtbarkeit verdeckter Merkmale im sichtbaren Licht und ermöglichen klare Abbildungen interner Strukturen in Verbundwerkstoffen.
Tubuslinsensystem-Konfiguration
Standardkonfiguration – universelle Prüfplattform
Modell: BSM-T180VA / BSM-T090VA
- Tubuslinsenfokus
- 180 mm / 90 mm
- Bildfeldgröße
- 24 mm (180 mm Tubuslinse)
- Spektralbereich
- 900–1700 nm
- Beleuchtungsart
- Koaxiale Auflicht-Köhler-Beleuchtung
- LED-Lichtquelle
- 1200/1300/1400/1550 nm
High-End-Konfiguration – Plattform für maximale Leistung
Modell: BSM-T100VA
- Tubuslinsenfokus
- 100 mm
- Bildfeldgröße
- 33 mm (200 mm Tubuslinse)
- Spektralbereich
- 900–1700 nm
- Beleuchtungsart
- Koaxiale Auflicht-Köhler-Beleuchtung
- LED-Lichtquelle
- 1200/1300/1400/1550 nm
M Plan Apo NIR Objektivserie
Hochleistungs-Mikroskopobjektiv, optimiert für den SWIR-Bereich – mit hervorragender Bildqualität und Durchdringung
| Modell | Vergrößerung | Numerische Apertur (NA) | Arbeitsabstand (WD) | Brennweite | Auflösung | Schärfentiefe | Sehfeldzahl (FN) | Gewicht |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M Plan Apo NIR 5X | 5X | 0.14 | 37.5mm | 40mm | 2.0μm | 14μm | 24mm | 220g |
| M Plan Apo NIR 10X | 10X | 0.26 | 30.5mm | 20mm | 1.1μm | 4.1μm | 24mm | 250g |
| M Plan Apo NIR 20X | 20X | 0.4 | 20mm | 10mm | 0.7μm | 1.7μm | 24mm | 300g |
| M Plan Apo NIR 50X | 50X | 0.42 | 17mm | 4mm | 0.7μm | 1.6μm | 24mm | 315g |
|
M Plan Apo NIR 50X HR Hochauflösungsvariante |
50X | 0.65 | 10mm | 4mm | 0.4μm | 0.7μm | 24mm | 450g |
Konfiguration der SWIR-Kameraserie
Hochleistungs-InGaAs-Kamera mit TEC-Kühlung – hervorragendes SNR und Bildqualität
SWIR5000KMA
- Sensor
- 5.0M IMX992 (M,GS)
- Sensorgröße
- 1/1.4'' (8.94x7.09mm)
- Pixelgröße
- 3.45x3.45μm
- Signal-Rausch-Verhältnis
-
Hohe Verstärkung: 51.5dB
Niedrige Verstärkung: 48.5dB - Bildrate
-
61.9@2560x2048
135.7@1280x1024 - Belichtungszeit
- 15μs~60s
- Kühlung
- Built-in TEC
SWIR3000KMA
- Sensor
- 3.0M IMX993 (M,GS)
- Sensorgröße
- 1/1.8'' (7.07x5.3mm)
- Pixelgröße
- 3.45x3.45μm
- Signal-Rausch-Verhältnis
-
Hohe Verstärkung: 51.5dB
Niedrige Verstärkung: 48.5dB - Bildrate
-
93@2048x1536
176@1024x768 - Belichtungszeit
- 15μs~60s
- Kühlung
- Built-in TEC
SWIR1300KMA
- Sensor
- 1.3M IMX990 (M,GS)
- Sensorgröße
- 1/2'' (6.40x5.12mm)
- Pixelgröße
- 5x5μm
- Signal-Rausch-Verhältnis
-
Hohe Verstärkung: 58.7dB
Niedrige Verstärkung: 52.6dB - Bildrate
-
200@1280x1024
392@640x512 - Belichtungszeit
- 15μs~60s
- Kühlung
- Built-in TEC
SWIR330KMA
- Sensor
- 0.33M IMX991 (M,GS)
- Sensorgröße
- 1/4'' (3.20x2.56mm)
- Pixelgröße
- 5x5μm
- Signal-Rausch-Verhältnis
-
Hohe Verstärkung: 58.7dB
Niedrige Verstärkung: 52.6dB - Bildrate
-
400@640x512
753@320x256 - Belichtungszeit
- 15μs~60s
- Kühlung
- Built-in TEC
Typische Anwendungsfälle
Professionelle Anwendungen des BSM-Systems in Halbleiterfertigung, Materialwissenschaft und weiteren Bereichen
Halbleiterfertigung und -inspektion
In der Halbleiterfertigung ermöglicht die BSM-Serie zerstörungsfreie Prüfung von Wafern und Chips; sie durchdringt Silizium, zeigt subsurface Defekte, Mikrorisse und Interconnects deutlich und unterstützt entscheidend Qualitätssicherung sowie Fehleranalyse.
Anwendungsfall
- Zerstörungsfreie Prüfung innerer Defekte in Siliziumwafern
- Bewertung der Integrität von Chip-Interconnects
- Präzise Lokalisierung subsurface Mikrorisse
- Echtzeitüberwachung der Schweißqualität
- Verifizierung der Verpackungsintegrität
Keramikdefektprüfung
Bei Keramik- und Verbundwerkstoffen zeigt das System verdeckte Risse, Poren und Einschlüsse. SWIR macht interne Defekte sichtbar, die klassischen Optiken verborgen bleiben, und liefert belastbare Grundlagen für Qualitätsbewertungen.
Anwendungsfall
- Visualisierung innerer Risse in Keramik
- Schichtanalyse von Verbundmaterialien
- Analyse der Porositätsverteilung
- Lokalisation von Einschlüssen
- Bewertung der strukturellen Integrität
Weitere Anwendungsbereiche
Industrielle zerstörungsfreie Prüfung
Die BSM-Serie bietet hochpräzise zerstörungsfreie Prüfung industrieller Komponenten, analysiert interne Strukturen, erkennt Montagefehler und bewertet Materialhomogenität – ohne Demontage, für vollständige Qualitätsbewertung.
- Analyse innerer Strukturen von Baugruppen
- Überprüfung der Montagequalität
- Bewertung der Materialhomogenität
Materialwissenschaftliche Forschung
Im Bereich Materialwissenschaft analysiert das System Mikrostrukturen, Phasenverteilungen und Defekte neuer Materialien. SWIR-Bildgebung liefert einzigartigen Materialkontrast und unterstützt das Verständnis des Zusammenhangs zwischen Eigenschaften und Mikrostruktur.
- Strukturcharakterisierung neuer Materialien
- Visualisierung der Phasenverteilung
- Analyse von Korngrenzen
Technologischer Vorteil im Vergleich
| Vergleichstechnologie | BSM-Systemvorteile |
|---|---|
| Konventionelles optisches Mikroskop | Das BSM-System dringt in Silizium und andere opake Materialien ein und zeigt innere Strukturen, während herkömmliche Mikroskope nur Oberflächen erfassen. |
| Röntgenprüfung | Das BSM-System arbeitet ohne Strahlenbelastung, liefert höhere Auflösung, ermöglicht Echtzeitbildgebung und senkt Geräte- sowie Wartungskosten. |
| Ultraschallprüfung | Das BSM-System bietet höhere räumliche Auflösung und Bildschärfe und erkennt Defekte im Mikrometerbereich. |
| MWIR/LWIR-System | Das BSM-System nutzt Standardglasoptiken, senkt die Kosten und verbessert die Kompatibilität zu bestehenden Mikroskopplattformen. |
Systemkonfiguration und Zubehör
Standardkonfiguration
- BSM-Hauptsystem (T180VA/T090VA/T100VA wählbar)
- Mehrwellenlängen-LED-Beleuchtungsmodul
- Koaxiales epi-Beleuchtungssystem
- C-Mount-Kameradapter
- Präziser Fokussiermechanismus
Optionales Zubehör
- M Plan Apo NIR Objektivserie (5×–50× HR)
- SWIR-Kameraserie (330k–5000k Auflösung)
- Automatisierter Probentisch
- Bildaufnahmeanalyse-Software
- Schwingungsdämpfende Plattform
- LED-Beleuchtung mit kundenspezifischen Wellenlängen
Die BSM-Serie verfügt über eine modulare Architektur und kann für spezifische Wellenlängen-, Sensor- oder Automatisierungsanforderungen angepasst und erweitert werden
Außenabmessungen
Präzisions-Engineering-Design, kompakte modulare Struktur
BSM-Systemvorteile
Revolutionäre SWIR-Mikroskopie-Bildgebungstechnologie eröffnet neue Dimensionen der Material-Inneninspektion
Silizium-Durchdringungsbildgebung
SWIR-Photonenenergie liegt unterhalb der Silizium-Bandlücke, ermöglicht Durchdringung von Siliziummaterialien für zerstörungsfreie Inspektion interner Defekte, einschließlich Mikrorisse und Lötfehler.
Breitband-Bildgebungsabdeckung
900–1700 nm Breitband-Bildgebungsfähigkeit mit Multi-Wellenlängen-LED-Lichtquellen erfüllt Bildgebungsanforderungen verschiedener Materialien und Anwendungen.
Modulares Architekturdesign
Unabhängiges Design von Beleuchtungs-, Bildgebungs- und Mechanikmodulen unterstützt kundenspezifische Upgrades nach spezifischen Anforderungen und gewährleistet Systemflexibilität und Erweiterbarkeit.
Kostengünstige Lösung
Verwendung von Standard-Glasoptikelementen vermeidet teure Reflexionsoptiksysteme und reduziert Geräte- und Wartungskosten.
Echtzeit-Bildgebungsfähigkeit
Hochgeschwindigkeits-InGaAs-Sensoren unterstützen Echtzeit-Bildgebung mit Bildraten bis zu 400 fps für Online-Inspektion und dynamische Beobachtungsanforderungen.
Mikrometer-Auflösung
Professionelle M Plan Apo NIR-Objektivserie erreicht Auflösungen bis 0,4 µm für präzise Identifikation kleinster Defekte und Strukturdetails.